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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2021-05-24
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN113745364B
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18
优先权：["20200529 US 16/887375"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开
摘要：本公开涉及半导体结构，更具体地涉及光电二极管和或PIN二极管结构及制造方法。该结构包括：至少一个鳍，其包括衬底材料，至少一个鳍包括侧壁和顶面；沟槽，其位于至少一个鳍的相反两侧；第一半导体材料，其给至少一个鳍的侧壁和顶面以及沟槽的底面加衬里；光敏半导体材料，其位于第一半导体材料上并且至少部分地填充沟槽；以及第三半导体材料，其位于光敏半导体材料上。
主权项：1.一种半导体结构，包括：至少一个鳍，其包括衬底材料，所述至少一个鳍包括侧壁和顶面；沟槽，其位于所述至少一个鳍的相反两侧；第一半导体材料，其给所述至少一个鳍的所述侧壁和所述顶面以及所述沟槽的底面加衬里；光敏半导体材料，其位于所述第一半导体材料上并且至少部分地填充所述沟槽；第三半导体材料，其位于所述光敏半导体材料上；以及隔离结构，其由所述至少一个鳍内的空气或电介质材料构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 光电二极管和/或PIN二极管结构
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