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申请/专利权人：光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231312A
主分类号：H01L21/68
分类号：H01L21/68;H01L21/60
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明属于晶圆自对准技术领域，具体涉及一种晶圆物理自对准工艺方法及晶圆键合结构。本发明的自对准工艺方法包括以下步骤：S1.在上晶圆的键合面上制备至少两个斜面凸点；S2.在下晶圆的键合面上设置与的斜面凸点一一配合的斜面凹槽；S3.上晶圆与下晶圆之间进行预定位；S4.上晶圆与下晶圆自对准。本发明的自对准工艺方法通过分别设置在上晶圆、下晶圆上的斜面凸点和斜面凹槽，对上晶圆与下晶圆进行预定位，巧妙的利用斜面实现上晶圆和下晶圆之间的自定位，可适用于不同尺寸晶圆的自对准工序，适用范围较广，有效解决传统晶圆级键合工艺中晶圆级键合偏移大、预对准时间长、适用性不强的问题。
主权项：1.一种晶圆物理自对准工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在上晶圆1的键合面上制备至少两个斜面凸点3；S2.在下晶圆2的键合面上设置与所述的斜面凸点3一一配合的斜面凹槽4；S3.上晶圆1与下晶圆2之间进行预定位，即移动所述上晶圆1将所述斜面凸点3与对应的所述斜面凹槽4斜面对接；S4.上晶圆1与下晶圆2自对准，即在步骤S3对接的斜面的作用下，所述斜面凸点3通过自补偿嵌入到所述斜面凹槽4内，完成上晶圆1与下晶圆2的自对准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 一种晶圆物理自对准工艺方法及晶圆键合结构
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