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申请/专利权人：日东电工株式会社
申请日：2023-12-18
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118222201A
主分类号：C09J7/29
分类号：C09J7/29;C09J7/30;C09J133/08;H01L21/683;H01L21/78
优先权：["20221221 JP 2022-204589"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法。提供一种切割芯片接合薄膜等，其具备基材层、重叠于该基材层且具有粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，前述切割带在120℃下的拉伸储能模量为0.10MPa以上，并且，在‑15℃下的拉伸储能模量为280MPa以上且500MPa以下。
主权项：1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有基材层和重叠于该基材层的粘合剂层的切割带、以及重叠于该切割带的芯片接合片，所述切割带在120℃下的拉伸储能模量为0.10MPa以上，并且，在-15℃下的拉伸储能模量为280MPa以上且500MPa以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜和半导体装置的制造方法
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皖公网安备 34010402703815号