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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日：2018-07-05
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN110690112B
主分类号：H01L21/31
分类号：H01L21/31;H01L21/3105
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.14#公开
摘要：本发明提供一种利用反向间距加倍工艺形成表面平坦化结构及方法，该方法包括：于半导体衬底上形成反向间隔掩膜层、第一掩膜层、侧蚀间隔牺牲层及第一刻蚀图形；通过第一刻蚀图形对侧蚀间隔牺牲层及第一掩膜层进行刻蚀形成第二刻蚀图形；于第二刻蚀图形表面形成间隔层及第二掩膜层；去除第二掩膜层高于所述间隔层的部位；对第一掩膜层上的间隔层和侧蚀间隔牺牲层进行刻蚀，暴露出间隔层在第一掩膜层上的内侧面；经由该内侧面对位于第一掩膜层侧边的间隔层进行刻蚀形成第一凹槽；通过第一凹槽对反向间隔掩膜层进行刻蚀形成第二凹槽，第二凹槽两侧具有平坦表面的第一凸起结构。通过本发明解决了因传统有源区域顶部不平坦，导致其有效面积减小的问题。
主权项：1.一种利用反向间距加倍工艺形成表面平坦化结构的方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上依次形成由下至上的反向间隔掩膜层、第一掩膜层及侧蚀间隔牺牲层，并且于所述侧蚀间隔牺牲层上形成第一刻蚀图形；S2：以所述第一刻蚀图形为掩膜图形对所述侧蚀间隔牺牲层及所述第一掩膜层进行图形刻蚀，直至暴露出所述反向间隔掩膜层，以于所述反向间隔掩膜层上形成第二刻蚀图形；至少于所述第二刻蚀图形的顶表面和侧面依次形成由内至外的间隔层及第二掩膜层；S3：去除所述第二掩膜层高于所述间隔层的部位，直到暴露出所述间隔层在所述第二刻蚀图形的顶面；S4：对在所述第一掩膜层上的所述间隔层和所述侧蚀间隔牺牲层进行刻蚀，直至暴露出所述间隔层在所述第一掩膜层上的内侧面；S5：经由所述间隔层在所述第一掩膜层上的内侧面对位于所述第一掩膜层侧边的所述间隔层进行刻蚀，直至暴露出所述反向间隔掩膜层，以于所述第一掩膜层及所述第二掩膜层之间形成第一凹槽；以及S6：通过所述第一凹槽对所述反向间隔掩膜层进行刻蚀，以于所述反向间隔掩膜层中形成第二凹槽及位于所述第二凹槽两侧的第一凸起结构；其中，所述第一凸起结构具有平坦表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 利用反向间距加倍工艺形成表面平坦化结构及方法
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