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申请/专利权人：湖南科技大学
申请日：2023-04-13
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN116430490B
主分类号：G02B5/00
分类号：G02B5/00;G02B1/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.08.01#实质审查的生效;2023.07.14#公开
摘要：本发明提供了一种石墨烯‑介电超表面结构、图形阵列及其应用。一种石墨烯‑介电超表面结构，所述石墨烯‑介电超表面结构从下到上依次包括SiO2衬底、Ge纳米环；其中，所述Ge纳米环上设置有缺口，所述缺口的圆心角θ为3.5‑20°；所述Ge纳米环的上表面覆有单层石墨烯；所述单层石墨烯的尺寸与所述SiO2衬底相适配；通过引入扰动来打破面内对称性，此Ge纳米环支持的SP‑BIC可以转变为准BIC，并导致局部电场的巨大增强，单层石墨烯被引入到系统中，其光吸收被介电超表面结构中的准BIC共振强烈提升。
主权项：1.一种石墨烯-介电超表面结构，其特征在于，所述石墨烯-介电超表面结构从下到上依次包括SiO2衬底、Ge纳米环、单层石墨烯；其中，所述Ge纳米环上设置有1个缺口，所述缺口的圆心角θ为3.5-20°；所述单层石墨烯的尺寸与所述SiO2衬底相适配；所述石墨烯-介电超表面结构还包括可调节入射光偏振角度的入射光源；所述Ge纳米环的内半径ri为100-140nm；所述入射光源的偏振角度为α为0-90°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南科技大学 一种石墨烯-介电超表面结构、可切换图形阵列及其应用
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