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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日：2024-03-01
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249203A
主分类号：H01S5/30
分类号：H01S5/30;H01S5/343;H01S5/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及一种具有量子震荡效应层的半导体激光元件。该半导体激光元件包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述有源层和下波导层之间以及下波导层和下限制层之间具有量子震荡效应层；该半导体激光元件通过设置量子震荡效应层抑制表面和界面对电子散射，形成重复布洛赫状态诱导量子震荡和载流子直线回旋运动，提升电子迁移率和电导率，降低激光元件在激射后的串联电阻和电压，同时，量子震荡效应层调控电极自旋霍尔注入磁子，提升下波导层和下限制层的自旋电导率，进一步降低串联电阻和电压，以消除激光元件出现不连续或突变的结电压上跳问题。
主权项：1.一种具有量子震荡效应层的半导体激光元件，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述有源层和下波导层之间以及下波导层和下限制层之间具有量子震荡效应层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有量子震荡效应层的半导体激光元件
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