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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日：2024-04-07
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118244519A
主分类号：G02F1/015
分类号：G02F1/015;G02F1/025
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及一种等比例X交叉型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2；所述第一轻掺杂区1的左斜PN结与第二轻掺杂区2的右斜PN结在第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2的交界面形成一个三维PN结。本发明通过构造等比例X交叉型的三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器；这种调制器旨在提高调制效率和带宽，同时降低功耗，从而为大规模数据传输提供低功耗的解决方案，具有良好的市场应用前景。
主权项：1.一种等比例X交叉型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，其特征在于：所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2；所述第一轻掺杂区1的左斜PN结与第二轻掺杂区2的右斜PN结在第一轻掺杂区1和第二轻掺杂区2的交界面形成一个三维PN结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种等比例X交叉型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法
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