龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日：2021-05-19
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN113471288B
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/762
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.01#公开
摘要：本发明涉及一种全耗尽绝缘体上硅衬底、晶体管及其制备方法、用途。全耗尽绝缘体上硅衬底的制备方法：在背衬硅层上形成氧化硅层；进行光刻和蚀刻，使氧化硅形成多条沟槽，并且沟槽贯穿氧化硅层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条，氧化硅层被分隔成多个氧化硅线条；形成硅顶层，硅顶层填充沟槽并覆盖氧化硅线条；减薄硅顶层；在硅顶层表面涂布光刻胶，图形化，以使覆盖氧化硅线条以及相邻氧化硅线条间隔区域的硅顶层表面曝露；进行氧注入；之后退火，以形成氧化硅隔离层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
主权项：1.一种全耗尽绝缘体上硅衬底的制备方法，其特征在于，包括：在背衬硅层上形成氧化硅层；进行光刻和蚀刻，使氧化硅形成多条沟槽，并且所述沟槽贯穿所述氧化硅层且深入所述背衬硅层中，使所述背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条，所述氧化硅层被分隔成多个氧化硅线条；形成硅顶层，所述硅顶层填充所述沟槽并覆盖所述氧化硅线条；减薄所述硅顶层；在所述硅顶层表面涂布光刻胶，并图形化，以使覆盖所述氧化硅线条以及相邻氧化硅线条间隔区域的硅顶层表面曝露；对所述曝露的区域进行氧注入，并且氧注入的深度深入所述氧化硅线条所在的位置，且不高于所述氧化硅线条的顶部；之后退火，以形成氧化硅隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 一种全耗尽绝缘体上硅衬底、晶体管及其制备方法和用途
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号