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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248672A
主分类号：H01L23/544
分类号：H01L23/544;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，衬底的第一表面上形成有介电层；感应层，通过对所述衬底进行离子掺杂形成；所述介电层能够吸引所述感应层中的空穴或电子富集在所述感应层靠近所述介电层的一面，使得能够通过给所述感应层两端施加电压差检测所述感应层的电阻判断所述介电层的质量。本发明的技术方案能够对产线上的在制晶圆中的介电层的质量进行监控。
主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：衬底，具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底的第一表面上形成有介电层；感应层，通过对所述衬底进行离子掺杂形成；所述介电层能够吸引所述感应层中的空穴或电子富集在所述感应层靠近所述介电层的一面，使得能够通过给所述感应层两端施加电压差检测所述感应层的电阻判断所述介电层的质量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 半导体测试结构及半导体测试方法
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皖公网安备 34010402703815号