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组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 

申请/专利权人:珠海基石科技有限公司

申请日:2024-05-28

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118244581A

主分类号:G03F7/004

分类号:G03F7/004;G03F7/09;G03F7/00;H01L21/027

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本申请提供了组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法。该组合物中的添加剂可以抑制金属有机团簇在溶剂中的定向排列,从而使得组合物可在常温或低温下长时间储存,并且,长时间存储后组合物涂布形成的涂层的均一性和曝光稳定性均较优,对辐射光源的敏感性高,经辐射后形成的图案的分辨率高、粗糙度较低。故,本申请提供的组合物具有较高的实际应用价值,利于高性能芯片产业的发展。

主权项:1.一种组合物,其特征在于,包括金属有机团簇、添加剂以及溶剂;所述金属有机团簇包括MxOyOHnL1aL2bL3cL4dZm,3≤x≤72,0≤y≤72,0≤a≤72,0≤b≤72,0≤c≤72,0≤n≤72,0≤m≤72,y+n+a+b+c+d+m8x,x、y、a、b、c、d、m、n均为整数且a、b、c、d不同时为0;M为金属元素,L1、L2、L3、L4各自独立地选自辐射敏感性有机配体,Z选自无机离子或配位基团;所述添加剂为具有极性端和非极性端的有机化合物,且所述添加剂在所述组合物中不解离形成离子。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 珠海基石科技有限公司 组合物及其制备方法、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法

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