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申请/专利权人：ASMIP私人控股有限公司
申请日：2023-12-19
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241177A
主分类号：C23C16/06
分类号：C23C16/06;H01L21/3205;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/56
优先权：["20221222 US 63/434,606"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：公开了沉积钼的方法和系统。示例性方法包括使用等离子体辅助沉积过程在第一材料和第二材料上非选择性地和或保形地形成等离子体沉积钼。
主权项：1.一种沉积钼的方法，该方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，衬底包括包含第一材料和不同于第一材料的第二材料的表面；以及使用等离子体辅助沉积过程在第一材料和第二材料上形成等离子体沉积钼，其中，在使用等离子体辅助沉积过程的步骤期间，反应室内的温度低于350℃；并且其中，相对于第二材料在第一材料上的等离子体沉积钼的选择性在约40％和约60％之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASMIP私人控股有限公司 沉积钼的等离子体增强方法
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