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申请/专利权人：深圳大学
申请日：2022-09-14
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN115623858B
主分类号：H10N52/85
分类号：H10N52/85;H10N52/01
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.02.10#实质审查的生效;2023.01.17#公开
摘要：本申请涉及半导体传感器技术领域，并提供了一种霍尔传感器及其制作方法，其制作方法包括：在衬底上制作具有二维电子气的外延材料层，在所述外延材料层远离所述衬底一面制作四个金属电极，四个所述金属电极分别位于凸四边形的四个顶点处；在所述外延材料层远离所述衬底一面且位于四个金属电极之间的位置制作介电绝缘层；在所述介电绝缘层远离衬底的一面且位于四个金属电极所在凸四边形的对角线交点处制作软磁材料层，得到霍尔传感器。本申请提供的霍尔传感器具有良好的灵敏度，能够在外部磁场不变的情况下，输出更高的霍尔电压。
主权项：1.一种霍尔传感器，其特征在于：包括衬底，以及沉积在衬底表面的外延材料层，所述外延材料层包括二维电子气，所述外延材料层远离所述衬底的侧面设置有四个金属电极，四个所述金属电极分别位于凸四边形的四个顶点处，所述外延材料层远离所述衬底的侧面且位于四个所述金属电极之间的区域设置有用于形成肖特基接触的金属层，所述金属层远离所述衬底的侧面设置有软磁材料层，所述软磁材料层位于四个所述金属电极之间的对角线交汇处，所述二维电子气所在平面与所述外延材料层远离衬底的侧面相互平行；所述金属层为金属材质，所述金属材质为铂、铱、镍、钯和金中的一种，所述金属层与所述外延材料层之间形成肖特基接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 霍尔传感器及其制作方法
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