龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日：2024-04-02
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263097A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/3105
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种改善晶圆翘曲方法、分立器件制备方法以及分立器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在晶圆的正面上沉积层间介质层后，将层间介质层的表面磨平；在层间介质层上沉积氮化硅材料以形成保护层；通过炉管工艺在保护层的表面和晶圆的背面沉积多晶硅材料以分别形成第一膜层和第二膜层；将第一膜层去除；将保护层去除；对层间介质层进行后续工艺处理。通过上述技术手段，以在层间介质层上沉积氮化硅以避免层间介质层的表面受到污染，通过炉管工艺在晶圆的正反面沉积多晶硅以在不对晶圆进行翻面的情况下在晶圆的背面形成应力层，进一步避免层间介质层的表面受到污染，保证晶圆后续的工艺可正常进行。
主权项：1.一种改善晶圆翘曲方法，其特征在于，包括：在晶圆的正面上沉积层间介质层后，将所述层间介质层的表面磨平；在所述层间介质层上沉积氮化硅材料以形成保护层；通过炉管工艺在所述保护层的表面和所述晶圆的背面沉积多晶硅材料以分别形成第一膜层和第二膜层；将所述第一膜层去除；将所述保护层去除；对所述层间介质层进行后续工艺处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 一种改善晶圆翘曲方法、分立器件制备方法以及分立器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号