申请/专利权人:上海积塔半导体有限公司
申请日:2024-03-27
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118263096A
主分类号:H01L21/02
分类号:H01L21/02;H01L21/56
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:本发明提供一种调节晶圆翘曲的方法,包括:提供晶圆,晶圆包括相对设置的正面与背面,晶圆的正面形成有钝化层,钝化层中形成开口,开口定义出焊盘的位置;于钝化层上形成铝焊盘金属层,铝焊盘金属层并延伸入开口中与晶圆电连接,其中,晶圆由于铝焊盘金属层的应力发生翘曲;于晶圆的背面形成拉应力金属层,拉应力金属层的应力与铝焊盘金属层的应力抵消以降低晶圆的翘曲。本发明的调节晶圆翘曲的方法中,于晶圆的背面形成拉应力金属层,通过拉应力金属层的应力与铝焊盘金属层的应力抵消以调节晶圆的翘曲,由于拉应力金属层具有高应力,同时与介质层具有高的刻蚀选择比,能够简单有效的调节晶圆翘曲且不会损伤器件。
主权项:1.一种调节晶圆翘曲的方法,其特征在于,包括以下步骤:提供晶圆,所述晶圆包括相对设置的正面与背面,所述晶圆的正面形成有钝化层,所述钝化层中形成开口,所述开口定义出焊盘的位置;于所述钝化层上形成铝焊盘金属层,所述铝焊盘金属层并延伸入所述开口中与所述晶圆电连接,其中,所述晶圆由于所述铝焊盘金属层的应力发生翘曲;于所述晶圆的背面形成拉应力金属层,所述拉应力金属层的应力与所述铝焊盘金属层的应力抵消以降低所述晶圆的翘曲。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海积塔半导体有限公司 一种调节晶圆翘曲的方法
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