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一种基于S-L-S生长机制的高纯度莫来石晶须制备方法 

申请/专利权人:中国民航大学

申请日:2024-04-03

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118256983A

主分类号:C30B9/12

分类号:C30B9/12;C30B29/62;C30B29/22

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明涉及一种基于S‑L‑S生长机制的高纯度莫来石晶须制备方法,其包括制备铝溶胶与硅溶胶,将所制备的铝溶胶、硅溶胶、四水合钼酸铵、水按照一定比例混合搅拌制备晶须生长前驱体,在烘箱烘干后,研磨成粉状置于坩埚中,放入管式炉高温煅烧,待取出研磨后获得纯度较高的莫来石晶须。本发明效果:制备工艺操作简单,绿色环保,无有毒物质的使用与生成,且原料来源广泛、价格低廉,可以实现批量生产;莫来石晶须的生成率高,且外形呈细长针状,长度约为31‑58μm,直径约为2.5‑4.5μm,长径比约为6.8‑23.2。

主权项:1.一种基于S-L-S生长机制的高纯度莫来石晶须的制备方法,其特征在于:所述的制备方法包括按顺序进行的下列步骤:1称取8-12g硫酸铝粉末放置于玻璃容器中加入10-15mL水,搅拌直至硫酸铝粉末完全分散在水中;缓慢滴加适量的氢氧化钠至溶液中,同时持续搅拌使PH值位于7-9之间;将玻璃容器放置在热板或恒温槽中,并升温至60-90℃,持续搅拌以确保均匀加热,直至溶液中铝离子水解生成铝溶胶。2将正硅酸乙酯、乙醇、盐酸、水按照摩尔比为1-1.5∶3.6-4∶6.1-7∶0.07-0.095混合置于玻璃容器中;将玻璃容器放置于热板或恒温槽中,升温至40-50℃,持续搅拌以确保均匀加热,直至形成硅溶胶。3将步骤1制备的铝溶胶、步骤2制备的硅溶胶、钼酸铵按照18-27∶10.8-19.8∶4-1的摩尔比进行混合,置于搅拌器中混合均匀,最后加入占溶液总质量为15-20%的水,持续搅拌10-30min,获得胶状莫来石晶须生长前驱体乳液。4将上述晶须生长前驱体乳液放置于烘箱中,在70-80℃下烘干12-24h,取出后置于研钵中研磨成粉状;将粉状产物置于坩埚中,以3-6℃min的升温速率升温至1000-1300℃,保温1-3h后随炉降温,降至室温后从管式炉内取出,脱模并研磨后得到高纯度的莫来石晶须。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国民航大学 一种基于S-L-S生长机制的高纯度莫来石晶须制备方法

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