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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种MOS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一硅衬底，硅衬底上形成有衬垫氧化层、硬掩膜层；形成沟槽；形成隔离材料层；对形成隔离材料层之后的半导体结构进行氮离子注入；继续进行热退火处理；去除硬掩膜层、硬掩膜层表面的隔离材料层以及沟槽中部分厚度的隔离材料层，以得到浅沟槽隔离结构。在本申请中，隔离材料层的成分至少包括硅原子，本申请通过对形成隔离材料层之后的半导体结构先进行氮离子注入，然后进行热退火处理，可以在沟槽中的隔离材料层中形成Si‑N键，SiN的热膨胀系数和硅衬底的热膨胀系数相近，可以在热退火处理过程中有效降低浅沟槽隔离结构对沟道的压应力，提高电子迁移率，改善MOS器件的性能。
主权项：1.一种MOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成有衬垫氧化层、硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和部分厚度的所述硅衬底，以在所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和部分厚度的所述硅衬底中形成沟槽；形成隔离材料层，所述隔离材料层填充所述沟槽以及覆盖所述硬掩膜层；对形成隔离材料层之后的半导体结构进行氮离子注入；对氮离子注入之后的半导体结构进行热退火处理，其中，所述隔离材料层的成分至少包括硅原子，通过所述热退火处理，在所述沟槽中的隔离材料层中形成Si-N键；以及去除所述硬掩膜层、所述硬掩膜层表面的隔离材料层以及所述沟槽中部分厚度的隔离材料层，以在所述沟槽中得到浅沟槽隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 MOS器件及其制备方法
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