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申请/专利权人：通用电气航空系统有限责任公司
摘要：半导体器件单元包括半导体层，所述半导体层具有限定在第一方向上延伸的一系列平行条纹的表面。半导体层的表面在第一方向上具有比在正交于第一方向的第二方向上更低的电阻。沟道区限定在第一方向上延伸的第一沟道区片段的集合和在第二方向上延伸的第二沟道区片段的集合。第一沟道区片段和第二沟道区片段被布置为最大化跨表面在第一方向上延伸的沟道区的部分，并且最小化在第二方向上延伸的沟道区的部分，以降低或最小化操作中沟道区的有效电阻。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体器件单元，包括：具有其上限定一系列平行条纹的表面的半导体层，所述条纹跨所述半导体层的表面在第一方向上延伸，所述半导体层包括具有第一导电类型的漂移区；靠近所述半导体层的表面设置的具有第二导电类型的阱区，所述阱区限定阱区片段的集合；邻近所述阱区设置的具有所述第一导电类型的源极区，所述源极区的外围被所述阱区包围；以及具有所述第二导电类型并且靠近所述半导体层的表面的沟道区，所述沟道区限定细长的第一沟道区片段的集合和细长的第二沟道区片段的集合，每个第一沟道区片段具有在所述第一方向上延伸的相应第一长度，每个第二沟道区片段具有在正交于所述第一方向的第二方向上延伸的相应的第二长度，其中所述第一长度大于所述第二长度，所述沟道区的外围被所述阱区包围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 通用电气航空系统有限责任公司 半导体开关器件
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