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申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
摘要：本申请提供一种半导体测试结构和半导体器件，半导体测试结构包括：衬底，衬底包括第一区域和第二区域；绝缘层，位于第一区域内、且至少部分绝缘层凸出设置于衬底的表面上；至少一个深沟槽隔离结构，位于第二区域内的衬底中；多晶硅层，覆盖衬底的表面和绝缘层；层间介质层，覆盖多晶硅层，其中，多晶硅层和层间介质层均构造为具有两个台阶面的台阶结构；第一测试端和第二测试端，分别位于层间介质层的两个台阶面上，且第一测试端和第二测试端隔离设置。本申请可以放大层间介质层的应力，应力的增加能够进一步放大层间介质层的弱点，从而在通过第一测试端和第二测试端对层间介质层进行电学性能测试时，能够更准确地得到层间介质层的绝缘性。
主权项：1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；绝缘层，位于所述第一区域内、且至少部分所述绝缘层凸出设置于所述衬底的表面上；至少一个深沟槽隔离结构，位于所述第二区域内的所述衬底中；多晶硅层，覆盖所述衬底的表面和所述绝缘层；层间介质层，覆盖所述多晶硅层，其中，所述多晶硅层和所述层间介质层均构造为具有两个台阶面的台阶结构；第一测试端和第二测试端，分别位于所述层间介质层的两个台阶面上，且所述第一测试端和所述第二测试端隔离设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 半导体测试结构和半导体器件
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