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申请/专利权人：中兴通讯股份有限公司
摘要：本申请公开了一种高电子迁移率晶体管、制备方法及电子设备，属于半导体技术领域，用以提高高电子迁移率晶体管的击穿电压。所述高电子迁移率晶体管包括：高电子迁移率晶体管主体；目标钝化层，所述目标钝化层位于所述高电子迁移率晶体管主体的上方，所述目标钝化层的第一拐角部位为倾斜结构；第一场板金属层，所述第一场板金属层位于所述目标钝化层的上方，所述第一场板金属层的第二拐角部位为所述倾斜结构，所述第一拐角部位与所述第二拐角部位存在对应关系。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：高电子迁移率晶体管主体；目标钝化层，所述目标钝化层位于所述高电子迁移率晶体管主体的上方，所述目标钝化层的第一拐角部位为倾斜结构；第一场板金属层，所述第一场板金属层位于所述目标钝化层的上方，所述第一场板金属层的第二拐角部位为所述倾斜结构，所述第二拐角部位与所述第一拐角部位存在对应关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中兴通讯股份有限公司 高电子迁移率晶体管、制备方法及电子设备
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