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申请/专利权人：上海超致半导体科技有限公司

摘要：本发明公开了一种IGBT器件及其制备方法，该器件包括：衬底；多层超结结构层，超结结构层包括第一外延层、第一导电类型外延层和第二导电类型外延层；在相邻设置的超结结构层的第二导电类型外延层直接接触；第二外延层，第二外延层远离多层超结结构层的一侧设置有第一导电类型阱区、第二导电类型发射区、栅极沟槽和发射极沟槽；沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括第一介质层、栅极和第二介质层；集电极；发射极；栅极导电层。本发明实施例的技术方案，第一导电类型外延层和第二导电类型外延层形成的超结结构保证耐压能力的同时，通过设置第一外延层有效降低了IGBT器件的导通压降。

主权项：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：衬底；多层超结结构层，所述多层超结结构层位于所述衬底的一侧，多层所述超结结构层在预设方向垂直堆叠，所述预设方向为所述衬底指向所述多层超结结构层的方向；所述超结结构层包括第一外延层、第一导电类型外延层和第二导电类型外延层；所述第一外延层位于所述衬底的一侧，所述第一外延层设置有凹槽，所述第二导电类型外延层和所述第一导电类型外延层叠层设置位于所述凹槽内，且延伸至所述第一外延层远离所述衬底的一侧，所述第一导电类型外延层位于所述第二导电类型外延层远离所述第一外延层的一侧；在所述预设方向相邻设置的所述超结结构层的所述第二导电类型外延层直接接触；第二外延层，所述第二外延层位于所述多层超结结构层远离所述衬底的一侧；所述第二外延层远离所述多层超结结构层的一侧设置有第一导电类型阱区、第二导电类型发射区、栅极沟槽和发射极沟槽，所述栅极沟槽位于所述第二外延层远离所述多层超结结构层的一侧，所述第一导电类型阱区位于所述第二外延层远离所述多层超结结构层的一侧；在垂直于所述预设方向的方向上，所述第二导电类型发射区位于所述栅极沟槽的两侧，所述发射极沟槽位于所述第二导电类型发射区远离所述栅极沟槽的一侧；沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构包括第一介质层、栅极和第二介质层，所述第一介质层和所述栅极位于所述栅极沟槽内，所述第二介质层覆盖所述栅极、所述第一介质层和所述第二导电类型发射区；集电极，所述集电极位于所述衬底远离所述多层超结结构层的一侧；发射极，所述发射极位于所述发射极沟槽并且覆盖部分所述第二介质层；栅极导电层，所述栅极导电层位于所述第二介质层远离所述衬底的一侧，且和所述发射极间隔设置。

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