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申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
摘要：本发明实施例公开了一种相变存储器及其制作方法。其中，所述相变存储器的制作方法包括：提供位于衬底上的多条并列设置的第一地址线，以及位于每条所述第一地址线上的多个间隔设置的子堆叠结构；每个所述子堆叠结构至少包括第一电极层；形成覆盖所述第一电极层的绝缘层；在所述绝缘层中形成多个通孔；每一所述通孔均与相对应的子堆叠结构中的所述第二电极层接触；在所述通孔中形成相变存储层；至少依次在所述相变存储层上形成层叠设置的第二电极层和第二地址线。
主权项：1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供位于衬底上的多条并列设置的第一地址线，以及位于每条所述第一地址线上的多个间隔设置的子堆叠结构；每个所述子堆叠结构至少包括第一电极层；形成覆盖所述第一电极层的绝缘层；在所述绝缘层中形成多个通孔；每一所述通孔均与相对应的子堆叠结构中的所述第一电极层接触；在所述通孔的侧壁和底部形成粘附层；在形成有所述粘附层的通孔中形成相变存储层；其中，部分所述粘附层位于所述相变存储层的侧壁；至少依次在所述相变存储层上形成层叠设置的第二电极层和第二地址线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 相变存储器及其制作方法
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