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检测芯片、纳米线结构及其制备方法 

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申请/专利权人:上海集成电路研发中心有限公司

摘要:本发明提供了一种检测芯片、纳米线结构及其制备方法,所述纳米线结构包括:衬底;绝缘介质层,覆盖所述衬底的表面,且具有若干沿第一方向延伸的沟槽;若干纳米线沟道,设于所述绝缘介质层上,且沿第二方向跨越若干所述沟槽,所述第二方向与所述第一方向相交。本发明,通过纳米线沟道跨越若干沟槽,不仅使纳米线沟道在绝缘介质层上的部分显露,还使纳米线沟道朝向沟槽的部分显露,从而增大纳米线沟道显露的外壁面积,也即增大纳米线沟道的比表面积。由该纳米线结构制成的检测芯片可附着更多的灵敏探针,从而提升检测芯片的性能。

主权项:1.一种纳米线结构,其特征在于,包括:衬底;绝缘介质层,覆盖所述衬底的表面,且具有若干沿第一方向延伸的沟槽;若干纳米线沟道,设于所述绝缘介质层上,且沿第二方向跨越若干所述沟槽,所述第二方向与所述第一方向相交。

全文数据:

权利要求:

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