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一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法 

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申请/专利权人:麦斯克电子材料股份有限公司

摘要:一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法,包括底端和顶端均开口的清洗槽,清洗槽上方设置有能够带动硅片组沿竖直方向往返运动的驱动机构,清洗槽内部设置有清洗机构,所述清洗槽上方设置有能够向硅片组喷水的喷水机构,喷水机构包括多个平均设置在硅片组两侧且始终朝向硅片组的树脂板喷水的喷嘴,喷嘴喷出的水进入树脂板与硅片连接处开口,使其沿相邻两个硅片之间的缝隙流下并撑开缝隙,所述清洗机构包括多个同轴间隔设置且与清洗槽侧壁转动连接的轮片,硅片沿竖直方向往返运动过程中轮片能够进入或者退出缝隙。本发明,硅片清洗用时短,提高了清洗效率。

主权项:1.一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置,包括底端和顶端均开口的清洗槽2,清洗槽2上方设置有能够带动硅片组沿竖直方向往返运动的驱动机构3,清洗槽2内部设置有清洗机构,其特征在于:所述清洗槽2上方设置有能够向硅片组喷水的喷水机构,喷水机构包括多个平均设置在硅片组两侧且始终朝向硅片组的树脂板402喷水的喷嘴5,喷嘴5喷出的水进入树脂板402与硅片4连接处开口,使其沿相邻两个硅片4之间的缝隙401流下并撑开缝隙401,所述清洗机构包括多个同轴间隔设置且与清洗槽2侧壁转动连接的轮片1,硅片4沿竖直方向往返运动过程中轮片1能够进入或者退出缝隙401。

全文数据:

权利要求:

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