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申请/专利权人：东北师范大学
申请日：2023-12-09
公开（公告）日：2024-03-12
公开（公告）号：CN117690991A
主分类号：H01L31/115
分类号：H01L31/115;H01L31/032;H01L31/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开
摘要：本发明公开了一种高各向异性比二维GaS偏振光电探测器及其制备方法，高各向异性比二维GaS偏振光电探测器，它包括：衬底，电极，电极间隙，光敏二维半导体材料，所述的电极为真空镀膜金层，覆盖在SiSiO2衬底上；光敏二维半导体材料为改进使用改进的机械剥离方法制备的GaS层状材料，两个垂直方向的尺寸均不小于10微米，经人工引入应力和退火操作，定点转移覆盖于电极间隙上；获得在二维材料领域中超高的各向异性比11.2。
主权项：1.一种高各向异性比二维GaS偏振光电探测器，其特征在于：包括：衬底（1），电极（2），中央沟道（3）和二维材料GaS（4）；所述的电极（2）设置在衬底（1）的上表面，所述的二维材料GaS（4）设置在电极（2）的中心位置，且与电极（2）接触；所述的二维材料GaS（4）为具有曲率的弧形的各向异性二维GaS材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东北师范大学 一种高各向异性比二维GaS偏振光电探测器及其制备方法
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