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申请/专利权人：广东工业大学
申请日：2020-09-03
公开（公告）日：2024-04-09
公开（公告）号：CN112230297B
主分类号：G01V8/00
分类号：G01V8/00;H01Q5/28;H01Q21/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.09#授权;2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开
摘要：本发明公开了基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，通过将传统探测器中用作检波的单个肖特基二极管替换成N×M的肖特基二极管阵列，可进一步提高探测灵敏度。另外，通过将传统探测器中用作接收太赫兹信号的单个太赫兹天线替换成N×M的太赫兹天线阵列，利用太赫兹波与天线阵中自由电子群发生共振可增强天线中低动能电子的能量，从而再次提高探测灵敏度。还有的是，本发明可根据实际需求设计任意不同频点的多频点太赫兹天线，从而在不用更换太赫兹探测器的情况下就能实现一个探测器支持多个任意不同频点的探测，有效降低太赫兹探测的成本。
主权项：1.基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器，其特征在于，包括N×M多频点太赫兹天线阵列、包括有传输线TL1、TL2和TL3的匹配网络、隔直电容C1、探测器和读出电路测试开关、读出电路、N×M肖特基二极管阵列；其中，所述匹配网络中的传输线TL1与N×M多频点太赫兹天线阵列连接，传输线TL2的右端与N×M肖特基二极管阵列相连，传输线TL3的下端分别与隔直电容C1的一端、探测器和读出电路测试开关、读出电路相连接；所述隔直电容C1的另一端接地；所述传输线TL1背离所述N×M多频点太赫兹天线阵列的一端分别与所述传输线TL2的左端以及所述传输线TL3的上端相连；所述N×M肖特基二极管阵列包括N×M个纵横排列的肖特基二极管单元、N个第一行选开关以及M个第一列选开关；每个肖特基二极管单元均包括肖特基二极管、偏置电压Vb1、偏置电阻Rb1以及第一NMOSFET；每个肖特基二极管单元中，肖特基二极管的阳极分别与偏置电阻Rb1的一端、第一NMOSFET的MSEL1端连接，肖特基二极管的阴极接地；所述偏置电阻Rb1的另一端与偏置电压Vb1连接，用于给肖特基二极管供电；每个肖特基二极管单元中第一NMOSFET的SEL1端均与所在列的第一列选开关连接；每个肖特基二极管单元中第一NMOSFET的Vout1端均与所在行的第一行选开关连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东工业大学 基于N×M多频天线阵列和SBD阵列的探测器
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