龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：山东大学
申请日：2024-05-13
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118173618A
主分类号：H01L29/872
分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明公开了一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法，其涉及器件设计技术领域。包括：4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层，所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层；所述P型SiC外延层包括：SiO2保护层、多个长度和间距不均等的P型梯形岛，SiO2保护层与靠近SiO2保护层的第一个P型梯形岛相连，且所述多个P型梯形岛之间首尾相连；所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积阳极，所述4H‑SiC衬底层的下表面沉积阴极。本发明对碳化硅（SiC）SBD器件的边缘终端进行改进，显著提高碳化硅SBD器件的反向击穿电压，优化碳化硅SBD器件的整体性能。
主权项：1.一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件，其特征在于，包括：阳极（2）、P型SiC外延层、N型SiC外延层、4H-SiC衬底层（6）、阴极（7）；所述4H-SiC衬底层（6）的上表面沉积所述N型SiC外延层，所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积所述P型SiC外延层；所述P型SiC外延层包括：SiO2保护层（1）、多个长度和间距不均等的P型梯形岛（3），所述SiO2保护层（1）与靠近所述SiO2保护层（1）的第一个所述P型梯形岛（3）相连，且所述多个P型梯形岛（3）之间首尾相连；所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积所述阳极（2），且远离所述SiO2保护层（1）的最后一个所述P型梯形岛（3）与所述阳极（2）连接，所述4H-SiC衬底层（6）的下表面沉积所述阴极（7）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号