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申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日：2024-04-19
公开（公告）日：2024-05-24
公开（公告）号：CN118073402A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/40;H01L29/872;H01L21/34
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.11#实质审查的生效;2024.05.24#公开
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种氧化镓SBD器件及其制备方法。本发明氧化镓SBD器件包括阴极金属层，阴极金属层自上而下包括钛以及金；N++型氧化镓衬底，设置于阴极金属层顶部；N型氧化镓外延，设置于N++型氧化镓衬底顶部，N型氧化镓外延顶面设有沟槽；复合型氧化镓层，设置在沟槽内；肖特基金属层，设置于N型氧化镓外延顶部；介质层，用于覆盖沟槽；肖特基金属层自下而上包括镍，锗，金以及银。其中氧化镓外延层上设有沟槽结构，并在沟槽内部构筑复合型氧化镓层，N型氧化镓外延顶面设有的沟槽结构能够增加电流路径的长度，这样在给定的电压下，电场分布更均匀，因而可以提高器件的击穿电压。
主权项：1.一种氧化镓SBD器件，其特征在于，包括：阴极金属层（5），所述阴极金属层（5）自上而下包括10-100nm钛层以及10-100nm金层；N++型氧化镓衬底（1），设置于所述阴极金属层（5）顶部；N型氧化镓外延（2），设置于所述N++型氧化镓衬底（1）顶部，所述N型氧化镓外延（2）顶面设有沟槽；复合型氧化镓层（3），设置在所述沟槽内；肖特基金属层（4），设置于所述N型氧化镓外延（2）顶部；介质层，用于覆盖所述沟槽；所述肖特基金属层（4）自下而上包括10-100nm镍层，10-100nm锗层，10-100nm金层以及10-100nm银层；所述复合型氧化镓层（3）为硅磷掺杂浓度1017-1019cm-3的氧化镓材料，其中硅磷掺杂的意义是，同时使用硅和磷作为掺杂剂，且硅和磷总体的掺杂浓度在1017-1019cm-3范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡松煜科技有限公司 一种氧化镓SBD器件及其制备方法
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