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申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日：2023-12-07
公开（公告）日：2024-05-07
公开（公告）号：CN117995880A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种SiCSBD结构的制备方法，包括：S1：清洗SiC材料基片，所述的SiC材料基片为n+SiC衬底，其掺杂浓度范围为1E19～1E20；S2：生长n型外延层；S3：制作p型埋层区；S4：制作n+区；S5：制作p型表层区；S6：制作肖特基接触电极；S7：n+SiC衬底减薄；S8：制作欧姆接触电极，本发明的碳化硅二极管采用交替周期排列的p型埋层区与p型表层区结构，并使用较高浓度的N掺杂来调制p型埋层区与p型表层区下方的空间电荷区，在反向耐压时，p型埋层区与p型表层区下方的空间电荷区相向扩展，减少反向电流，增强抗反压能力，同时降低了n+区的电场强度，高浓度的N型掺杂降低二极管的导通电阻，p型表层区进一步提高了正向导通电流。
主权项：1.一种SiCSBD结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：清洗SiC材料基片，所述的SiC材料基片为n+SiC衬底，其掺杂浓度范围为1E19～1E20；S2：生长n型外延层；S3：制作p型埋层区；S4：制作n+区；S5：制作p型表层区；S6：制作肖特基接触电极；S7：n+SiC衬底减薄；S8：制作欧姆接触电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江芯科半导体有限公司 一种SiC SBD结构的制备方法
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