申请/专利权人:山东大学
申请日:2024-05-10
公开(公告)日:2024-06-07
公开(公告)号:CN118156319A
主分类号:H01L29/872
分类号:H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要:本发明公开了一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法,其涉及器件设计技术领域。包括:所述4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO2保护层、多个长度相同且间距相等的P型梯形岛,SiO2保护层与靠近SiO2保护层的第一个P型梯形岛相连,且所述多个P型梯形岛之间首尾相连;所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积阳极,且远离所述SiO2保护层的最后一个P型梯形岛与阳极连接,所述4H‑SiC衬底层的下表面沉积阴极。本发明扩大了电场分布的空间,使SiCSBD器件有着更为均匀的电场分布。
主权项:1.一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件,其特征在于,包括:阳极(2)、P型SiC外延层、N型SiC外延层、4H-SiC衬底层(6)、阴极(7);所述4H-SiC衬底层(6)的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积所述P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO2保护层(1)、多个长度相同且间距相等的P型梯形岛(3),所述SiO2保护层(1)与靠近所述SiO2保护层(1)的第一个所述P型梯形岛(3)相连,且所述多个P型梯形岛(3)之间首尾相连;所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积所述阳极(2),且远离所述SiO2保护层(1)的最后一个所述P型梯形岛(3)与所述阳极(2)连接,所述4H-SiC衬底层(6)的下表面沉积所述阴极(7)。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 山东大学 一种外延层均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
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