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申请/专利权人：河北博威集成电路有限公司
申请日：2024-04-30
公开（公告）日：2024-06-04
公开（公告）号：CN118136672A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.21#实质审查的生效;2024.06.04#公开
摘要：本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：自下而上依次堆叠的漏极金属、N+衬底和N‑漂移层和源极金属；N‑漂移层的上表面有至少一个凹槽，在凹槽的两侧形成两个凸台；凹槽的下方有P阱，P阱内设有N+源区和P+源区；凹槽的底部有欧姆接触金属和栅极；在远离栅极一侧的凹槽的侧壁上和凸台的上表面有第二肖特基接触金属，凸台、欧姆接触金属和第二肖特基接触金属形成双凸台SBD。本申请能够在减小SiCMOSFET器件续流损耗、开关损耗、避免双极退化的同时，增大SBD的正向导通电流，减小反向漏电，极大提升单片集成SBD的SiCMOSFET器件的性能。
主权项：1.一种集成SBD的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：自下而上依次堆叠的漏极金属、N+衬底和N-漂移层和源极金属；所述N-漂移层的上表面设置有至少一个凹槽，在所述凹槽的两侧形成两个凸台；所述凹槽的下方设置有P阱；所述P阱内设有相邻排列的N+源区和P+源区；所述凹槽的底部并列设置有欧姆接触金属和栅极；所述欧姆接触金属与所述N+源区和所述P+源区相接；在远离所述栅极一侧的凹槽的侧壁上设置有第一肖特基接触金属；所述凸台的上表面设置有第二肖特基接触金属；所述凸台、所述欧姆接触金属和所述第二肖特基接触金属形成双凸台SBD；所述源极金属覆盖在所述第二肖特基接触金属、所述欧姆接触金属和所述栅极上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河北博威集成电路有限公司 集成SBD的碳化硅MOSFET器件及其制备方法
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