申请/专利权人：天马日本株式会社

申请日：2023-10-10

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917775A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20221020 JP 2022-168241"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本申请涉及成像装置。该成像装置包括基板、在所述基板上的光电二极管半导体层、夹置所述光电二极管半导体层的上电极和下电极、以及包括在所述上电极上方的层中的非透光线路，将所述基板定义为最下层。所述光电二极管半导体层包括第一半导体层和位于所述第一半导体层与所述下电极之间的第二半导体层。所述光电二极管半导体层具有凹槽，在平面图中，在所述凹槽中，在被所述非透光线路覆盖的区域中去除所述第一半导体层。在平面图中与所述凹槽重叠的区域不包括所述上电极。在平面图中与所述凹槽重叠的区域包括所述第二半导体层的一部分和所述下电极的一部分。

主权项：1.一种成像装置，包括：基板；在所述基板上的光电二极管半导体层；上电极和下电极，所述上电极和所述下电极夹置所述光电二极管半导体层；和非透光线路，所述非透光线路包括在所述上电极上方的层中，将所述基板定义为最下层，其中，所述光电二极管半导体层包括：第一半导体层；和第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层和所述下电极之间，其中，所述光电二极管半导体层具有凹槽，在平面图中，在所述凹槽中，在被所述非透光线路覆盖的区域中去除所述第一半导体层，其中，在所述平面图中与所述凹槽重叠的区域不包括所述上电极，以及其中，在所述平面图中与所述凹槽重叠的所述区域包括所述第二半导体层的一部分和所述下电极的一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天马日本株式会社 成像装置

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