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申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日：2023-12-28
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954543A
主分类号：H01L33/12
分类号：H01L33/12;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本发明公开了一种GaN基蓝绿光LED外延结构，涉及半导体光电器件领域。其中，GaN基蓝绿光LED外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、位错调控层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述位错调控层为周期性结构，周期数为2～10，每个周期均包括依次层叠的GaN层和Si掺GaN层。实施本发明，可提升外延结构的晶体质量，从而提升基于其的蓝绿光LED的发光效率和抗静电性能。
主权项：1.一种GaN基蓝绿光LED外延结构，其特征在于，包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、位错调控层、U-GaN层、N-GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P-GaN层；其中，所述位错调控层为周期性结构，周期数为2～10，每个周期均包括依次层叠的GaN层和Si掺GaN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法
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