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申请/专利权人：芯动微电子科技(武汉)有限公司
申请日：2022-11-17
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118051444A
主分类号：G06F12/02
分类号：G06F12/02;G06F12/06;G11C29/18
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明涉及计算机技术领域，提供了一种存储器的坏行处理方法和系统。其中所述方法包括：检测存储器中是否出现坏行，当检测得到所述存储器中出现坏行地址时，使用目标行地址替换所述坏行地址，使当需进行所述坏行地址的内存访问时，访问所述目标行地址；其中，所述目标行地址是与所述坏行地址位于同一数据块组中且空闲的有效行地址。本发明通过对坏行地址进行替换，使在访问至坏行地址时，实际访问的是有效行地址，从而确保内存能够正常读写。
主权项：1.一种存储器的坏行处理方法，其特征在于，包括：检测存储器中是否出现坏行，当检测得到所述存储器中出现坏行地址时，使用目标行地址替换所述坏行地址，使当需进行所述坏行地址的内存访问时，访问所述目标行地址，其中，所述目标行地址是与所述坏行地址位于同一数据块组中且空闲的有效行地址。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯动微电子科技(武汉)有限公司 一种存储器的坏行处理方法和系统
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