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申请/专利权人：英飞凌科技有限责任公司
申请日：2022-09-14
公开（公告）日：2024-05-28
公开（公告）号：CN118103949A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L29/772;H01L29/78;H01L27/04;H01L29/66
优先权：["20210915 US 63/244,316","20211217 US 17/554,900"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法。通常，该方法包括在衬底的表面上方形成存储晶体管的隧道电介质，在隧道电介质上方形成氮化物电荷俘获层，以及在衬底表面上方形成场效应晶体管的栅极电介质。形成栅极电介质可以包括执行多个氧化工艺以形成厚栅极氧化物，同时在存储晶体管的电荷俘获层上方形成包括氧化物层的阻挡电介质。在一个实施方式中，执行氧化工艺包括执行原位蒸汽生成工艺以形成厚栅极氧化物和阻挡电介质的氧化物层，随后执行热氧化工艺以增加厚栅极氧化物和氧化物层的厚度，而不改变从隧道电介质至阻挡电介质的电荷俘获层的厚度上的基本上均匀的化学计量的氮浓度。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的表面上方形成存储晶体管的隧道电介质；在所述隧道电介质上方形成包括氮化物的电荷俘获层；以及在所述衬底的表面上方形成第一场效应晶体管FET的第一栅极电介质，其中，形成所述第一栅极电介质包括：执行多个氧化工艺以形成厚栅极氧化物GOX，同时在所述存储晶体管的电荷俘获层上方形成包括第一氧化物层的阻挡电介质。
全文数据：
权利要求：
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