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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2022-02-21
公开（公告）日：2022-07-01
公开（公告）号：CN114695538A
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2022.07.19#实质审查的生效;2022.07.01#公开
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的MOS晶体管，NMOS的第一栅极结构包括形成于第一栅极凹槽中的栅介质层、N型功函数金属层和金属导电材料层；栅介质层中包括高介电常数材料层。N型功函数金属层由第一和第二N型功函数金属子层叠加而成，第一和第二N型功函数金属子层具有不同的晶格结构并在接触面处形成晶格排列变化的第一界面层，利用第一界面层作为阻挡金属导电材料层的金属向下扩散的阻挡层。本发明还公开了一种具有HKMG的MOS晶体管的制造方法。本发明在满足阻挡金属导电材料层的金属向下扩散的条件下，能减少阻挡金属导电材料层的金属向下扩散的阻挡层的厚度，从而有利于金属导电材料层的填充，有利于MOS晶体管的尺寸进一步缩小，还能减少栅极接触电阻。
主权项：1.一种具有HKMG的MOS晶体管，其特征在于：MOS晶体管包括NMOS，所述NMOS的栅极结构为第一栅极结构，所述第一栅极结构形成在位于NMOS形成区域的第一栅极凹槽中；所述第一栅极结构包括栅介质层、N型功函数金属层和金属导电材料层；所述栅介质层中包括高介电常数材料层；所述N型功函数金属层由第一N型功函数金属子层和第二N型功函数金属子层叠加而成，所述第一N型功函数金属子层和所述第二N型功函数金属子层具有不同的晶格结构并在所述第一N型功函数金属子层和所述第二N型功函数金属子层接触面处形成晶格排列变化的第一界面层，利用所述第一界面层作为阻挡所述金属导电材料层的金属向下扩散的阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 具有HKMG的MOS晶体管及其制造方法
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