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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2022-03-11
公开（公告）日：2022-07-29
公开（公告）号：CN114823328A
主分类号：H01L21/321
分类号：H01L21/321;H01L21/28;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2022.08.16#实质审查的生效;2022.07.29#公开
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的PMOS的制造方法，PMOS的栅极结构形成步骤包括：步骤一、形成栅介质层；步骤二、生长P型功函数金属层，生长的所述P型功函数金属层为多晶结构；步骤三、进行退火处理使P型功函数金属层的多晶结构的晶粒互相结合以减少多晶结构的晶粒数量并从而增加对金属导电材料层的金属扩散的阻挡作用；步骤四、形成顶部阻挡层；步骤五、形成金属导电材料层。本发明能减少金属导电材料层的金属向下扩散并使器件的阈值电压保持稳定。
主权项：1.一种具有HKMG的PMOS的制造方法，其特征在于，PMOS的栅极结构形成步骤包括：步骤一、形成栅介质层；所述栅介质层中包括高介电常数材料层；步骤二、生长P型功函数金属层，生长的所述P型功函数金属层为多晶结构；步骤三、对所述P型功函数金属层进行退火处理，所述退火处理使所述P型功函数金属层的多晶结构的晶粒互相结合以减少多晶结构的晶粒数量；通过减少所述P型功函层的多晶结构的晶粒数量来增加对金属导电材料层的金属扩散的阻挡作用；步骤四、形成顶部阻挡层；步骤五、形成金属导电材料层，由所述栅介质层、所述P型功函数金属层和所述金属导电材料层叠加形成PMOS的栅极结构，采用所述P型功函数金属层和所述顶部阻挡层一起实现对所述金属导电材料层的金属向下扩散的阻挡。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 具有HKMG的PMOS的制造方法
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