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WAT测试结构 

申请/专利权人:芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日:2024-03-15

公开(公告)日:2024-05-28

公开(公告)号:CN117894792B

主分类号:H01L23/544

分类号:H01L23/544;H01L21/66

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.05.28#授权;2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要:本申请提供的WAT测试结构包括第一三极管和第二三极管;第一三极管的基区包括第一基区和第二基区,第一基区形成在测试层中,第二基区形成在连接层中,第二基区垂直于半导体材料层的厚度方向的截面为环形,第二基区的底面与第一基区的顶面相接;第一三极管的集电区和发射区分别位于第二基区的内围和外围;第二三极管的基区包括第三基区和第四基区,第三基区和第四基区均形成在连接层中,第四基区的底面与第三基区的顶面相接,第四基区垂直于半导体材料层的厚度方向的截面为环形,第二三极管的集电区和发射区分别位于第四基区的内围和外围;通过该WAT测试结构可以监控测试层的功能掺杂区的工艺稳定性。

主权项:1.一种WAT测试结构,其特征在于,所述WAT测试结构至少部分形成在多个层叠的半导体材料层中,多个所述半导体材料层包括测试层以及位于所述测试层上的连接层,所述测试层中具有所述WAT测试结构监控的功能掺杂区;所述WAT测试结构包括第一三极管和第二三极管;所述第一三极管的基区包括第一基区和第二基区;所述第一基区形成在所述测试层中;所述第二基区形成在所述连接层中,所述第二基区垂直于所述半导体材料层的厚度方向的截面为环形,所述第二基区的底面与所述第一基区的顶面相接;所述第二基区包围的半导体材料层作为所述第一三极管的集电区;至少所述第二基区外围的部分半导体材料层作为所述第一三极管的发射区;所述第二三极管的基区包括第三基区和第四基区,所述第三基区和所述第四基区均形成在所述连接层中,所述第四基区的底面与所述第三基区的顶面相接,所述第四基区垂直于所述半导体材料层的厚度方向的截面为环形,所述第二三极管的基区与所述第一三极管的基区的导电类型相同;所述第四基区包围的半导体材料层作为所述第二三极管的集电区;至少所述第四基区外围的部分半导体材料层作为所述第二三极管的发射区;其中,所述第一基区和所述测试层的所述功能掺杂区在同一工艺步骤中形成,所述第二三极管的基区与所述第一三极管的第二基区在同一工艺步骤中形成,通过检测所述第一三极管的放大系数和所述第二三极管的放大系数以监控所述测试层的功能掺杂区。

全文数据:

权利要求:

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