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【发明授权】发光装置_浜松光子学株式会社_201980038651.0 

申请/专利权人:浜松光子学株式会社

申请日:2019-06-04

公开(公告)日:2024-06-07

公开(公告)号:CN112262508B

主分类号:H01S5/18

分类号:H01S5/18

优先权:["20180611 JP 2018-111340"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.07#授权;2021.02.09#实质审查的生效;2021.01.22#公开

摘要:本发明一个实施方式涉及的发光装置降低S‑iPM激光器的输出中包含的0次光。该发光装置具备发光部和相位调制层,相位调制层具有基本层和分别包含多个异折射率要素的多个异折射率区域。以设定于相位调制层上的假想的正方晶格的晶格点为中心的各单位构成区域中,从对应的晶格点至异折射率要素的各重心的距离大于晶格间隔的0.30倍且为0.50倍以下。此外,从对应的晶格点至异折射率要素整体的重心的距离大于0且为晶格间隔的0.30倍以下。

主权项:1.一种发光装置,其沿着基板的主面的法线方向、与所述法线方向交叉的倾斜方向或所述法线方向和所述倾斜方向这两者,输出形成光像的光,该发光装置的特征在于,具备:发光部;和设置在所述基板上且与所述发光部光学耦合的相位调制层,所述相位调制层具有:基本层;和分别具有与所述基本层的折射率不同的折射率的多个异折射率区域,由与所述法线方向一致的Z轴和与包含所述多个异折射率区域的所述相位调制层的一个面一致的包含彼此正交的X轴和Y轴的X-Y平面规定的XYZ正交坐标系中,在所述X-Y平面上,设定由分别具有正方形状的M1×N1个单位构成区域R构成的假想的正方晶格,并且由X轴方向的坐标成分x和Y轴方向的坐标成分y确定的单位构成区域Rx,y设定在所述X-Y平面上时,在所述单位构成区域Rx,y中,构成位于所述单位构成区域Rx,y内的异折射率区域的多个异折射率要素的各重心G1离开成为所述单位构成区域Rx,y的中心的晶格点Ox,y的状态下,从所述晶格点Ox,y延伸至由位于所述单位构成区域Rx,y内的所述多个异折射率要素整体规定的重心G2的第一线段,与通过所述晶格点Ox,y且与所述X轴方向或所述Y轴方向平行的第二线段所成的角度,以输出形成所述光像的光的方式设定,从所述晶格点Ox,y至位于所述单位构成区域Rx,y内的所述多个异折射率要素的各重心G1的距离,大于所述假想的正方晶格的晶格间隔的0.30倍且为0.50倍以下,从所述晶格点Ox,y至由位于所述单位构成区域Rx,y内的所述多个异折射率要素整体规定的重心G2的距离,大于0且为所述假想的正方晶格的晶格间隔的0.30倍以下,其中,M1为1以上的整数,N1为1以上的整数,x为1以上M1以下的整数,y为1以上N1以下的整数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 浜松光子学株式会社 发光装置

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