龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：西安电子科技大学
申请日：2024-02-02
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN118156120A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/66
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明涉及一种晶格匹配的GaN器件及其制备方法，制备方法包括：使用目标处理工艺向SiC衬底中注入惰性气体离子，使得所述惰性气体离子在所述SiC衬底中形成间隙式杂质；在所述SiC衬底上制备GaN外延层。本发明通过在SiC衬底的内部注入惰性气体离子，使得惰性气体离子在SiC衬底中形成间隙式杂质，从而改变SiC衬底的晶格常数，使得SiC衬底的GaN外延层的晶格常数匹配，直接有效的抑制了位错缺陷产生，提高了GaN器件的性能和可靠性。
主权项：1.一种晶格匹配的GaN器件的制备方法，其特征在于，包括：使用目标处理工艺向SiC衬底中注入惰性气体离子，使得所述惰性气体离子在所述SiC衬底中形成间隙式杂质；在所述SiC衬底上制备GaN外延层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种晶格匹配的GaN器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号