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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2021-03-24
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN113517200B
主分类号：H01L21/48
分类号：H01L21/48;H01L23/485
优先权：["20200527 US 63/030,637","20201030 US 17/085,619"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2021.11.05#实质审查的生效;2021.10.19#公开
摘要：方法包括在晶圆的第一导电部件上方形成金属晶种层，在金属晶种层上形成图案化的光刻胶，在图案化的光刻胶的开口中形成第二导电部件，以及加热晶圆以在第二导电部件和图案化的光刻胶之间产生间隙。在第二导电部件上镀保护层。该方法还包括去除图案化的光刻胶，以及蚀刻金属晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：在晶圆的第一导电部件上方形成金属晶种层；在所述金属晶种层上形成图案化的光刻胶；在所述图案化的光刻胶的开口中形成第二导电部件；将所述晶圆放置在预加热至预期温度的去离子水中来加热所述晶圆，以在所述第二导电部件和所述图案化的光刻胶之间产生间隙；在所述第二导电部件上镀保护层，所述保护层具有位于所述间隙上方的横部；去除所述图案化的光刻胶；蚀刻所述金属晶种层；以及在所述保护层上沉积钝化层，并且所述钝化层与所述第二导电部件的侧壁物理接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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