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申请/专利权人：应用材料公司
申请日：2021-02-05
公开（公告）日：2024-06-07
公开（公告）号：CN115280192B
主分类号：G02B5/18
分类号：G02B5/18;G02B27/01
优先权：["20200313 US 16/818,457"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.07#授权;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开
摘要：公开了一种用于形成器件结构的方法。该形成器件结构的方法包括使用激光烧蚀在器件材料层中形成深度可变结构。在深度可变结构中形成多个器件结构以在其中限定倾斜的器件结构。使用蚀刻处理形成深度可变结构和倾斜的器件结构。
主权项：1.一种形成器件结构的方法，包括以下步骤：在基板上形成器件材料层；使用激光烧蚀在所述器件材料层中形成深度可变结构；在所述器件材料层之上形成硬模和光刻胶堆叠物，其中所述光刻胶堆叠物包括光学平面化层和光刻胶层，其中所述光刻胶层与所述光学平面化层直接接触；蚀刻所述光刻胶堆叠物；蚀刻所述硬模；和通过穿过所述器件材料层蚀刻来在所述器件材料层中形成多个器件结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 以激光烧蚀形成深度可变结构
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