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申请/专利权人：拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN118162771A
主分类号：B23K26/38
分类号：B23K26/38
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.28#实质审查的生效;2024.06.11#公开
摘要：本发明属于光伏电池加工技术领域，公开了一种硅片激光切割方法和激光划片设备，硅片激光切割方法包括如下步骤：控制第一激光沿切割路径移动，以对硅片进行切割；控制第二激光沿消融路径移动，以消融所述硅片的凸起融渣，所述切割路径偏移预设距离N，以形成所述消融路径，N大于0，其中，发射所述第二激光的激光器的峰值功率小于发射所述第一激光的激光器的峰值功率。激光划片设备用于实现上述的硅片激光切割方法，将硅片凸起融渣修整，避免硅片凸起融渣在硅片表面堆积，充分降低对后序硅片使用过程中的影响。
主权项：1.硅片激光切割方法，其特征在于，包括如下步骤：控制第一激光沿切割路径移动，以对硅片进行切割；控制第二激光沿消融路径移动，以消融所述硅片的凸起融渣，所述切割路径偏移预设距离N，以形成所述消融路径，N大于0，其中，发射所述第二激光的激光器的峰值功率小于发射所述第一激光的激光器的峰值功率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司 硅片激光切割方法和激光划片设备
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