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申请/专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日：2021-06-30
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN113966099B
主分类号：H05K3/40
分类号：H05K3/40;C23C28/00;C25D5/02;C25D5/12;C25D5/18;C25D5/54;C25D7/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开
摘要：本发明提供了一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺，包括如下步骤：在带有附着层的陶瓷基片上实施一次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm；将掩膜版紧密贴合在一次镀金后涂覆有光敏胶的基片表面，曝光后进行显影、定影以及金属层的腐蚀，完成在金镀层上的光刻；在光刻后的金镀层上镀铜，形成的铜镀层的厚度为3～5μm；在铜镀层上镀镍，形成的镍镀层的厚度为0.5～1μm；在镍镀层上实施二次镀金，形成的金镀层的厚度为2～3μm。本发明通过特有的膜层结构设计，基于薄膜陶瓷电路板制作工艺，采用“四镀一刻”的方式，解决了较厚膜层电路的制作问题，达到较高的图形精度与膜层附着力，实现多种功能，满足大功率电路的需求。
主权项：1.一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺，其特征在于，包括如下步骤：在带有附着层的陶瓷基片上实施一次镀金，形成的金镀层的厚度为2~3μm；将掩膜版紧密贴合在一次镀金后涂覆有光敏胶的基片表面，曝光后进行显影、定影以及金属层的腐蚀，完成在金镀层上的光刻；在光刻后的金镀层上镀铜，形成的铜镀层的厚度为3~5μm；在铜镀层上镀镍，形成的镍镀层的厚度为0.5~1μm；在镍镀层上实施二次镀金，形成的金镀层的厚度为2~3μm；电路膜层厚度10~15μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安空间无线电技术研究所 一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺
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