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申请/专利权人：华厦半导体(宁波)有限公司;华厦半导体(深圳)有限公司;华厦半导体(成都)有限公司
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延结构及其制造方法，所述氮化镓外延结构包括：衬底层、第一缓冲层、第二缓冲层及氮化镓外延层；所述第一缓冲层位于所述衬底层的上方，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层上方，所述氮化镓外延层位于所述第二缓冲层上方。通过在衬底层和氮化镓外延层之间设有第一缓冲层和第二缓冲层，降低因晶格失配产生应力，提升氮化镓外延层与衬底层的结合力，以致生成的氮化镓外延结构具有较高的质量。
主权项：1.一种氮化镓外延结构，其特征在于，包括：衬底层、第一缓冲层、第二缓冲层及氮化镓外延层；所述第一缓冲层位于所述衬底层的上方，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层上方，所述氮化镓外延层位于所述第二缓冲层上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华厦半导体(宁波)有限公司 华厦半导体(深圳)有限公司 华厦半导体(成都)有限公司 一种氮化镓外延结构及其制造方法
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