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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118201362A
主分类号：H10B41/35
分类号：H10B41/35;H10B41/10
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要：本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，较窄的第一间隔中填满介质层，从而可以避免后续硬掩膜层或者光阻层在第一间隔中的残留问题，简化了工艺控制难度，提高了工艺可靠性，并相应提高了所形成的闪存器件的质量和可靠性。进一步的，由于所述第一间隔中填满了介质层，避免了后续工艺中硬掩膜层或者光阻层的残留，同时还能避免金属硅化物工艺中，金属残留在第一间隔中，由此，使得所述第一间隔中的膜层结构简单，从而也能简化工艺控制，并提高工艺可靠性。特别的，在通过刻蚀工艺暴露出金属硅化物时，工艺控制更加精准，有效避免过刻蚀或者刻蚀不足的情况发生，也提高了插塞和金属硅化物之间的连接可靠性。
主权项：1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，所述闪存器件的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括阵列区和周边区，所述阵列区的所述半导体衬底上形成有多个第一栅极结构，所述周边区的所述半导体衬底上形成有第二栅极结构，相邻的两个所述第一栅极结构之间具有第一间隔或者第二间隔，所述第一间隔的宽度小于所述第二间隔的宽度，所述半导体衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层覆盖所述第一栅极结构、所述第二栅极结构以及所述半导体衬底；在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层填满所述第一间隔；在所述第二介质层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层填满所述第二间隔；刻蚀所述硬掩膜层以在所述第二栅极结构两侧形成侧墙结构；形成图形化的光阻层，所述图形化的光阻层覆盖所述侧墙结构；以及，去除剩余的所述硬掩膜层以及所述图形化的光阻层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 闪存器件及其制造方法
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