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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日：2024-03-07
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248732A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种半导体器件，包括衬底、半导体外延层以及终端掺杂结构。其中，终端掺杂结构设置于半导体外延层的边缘终端区内，且终端掺杂结构包括围绕有源区外的主结结构，以及设置于主结结构相对的第一侧和第二侧的若干叉状结构；其中，相邻两个叉状结构间隔设置。具体的，通过上述设置，在器件受到反向电压时，主结结构与主结相接的叉状结构与半导体外延层形成反偏PN结，相较于浮空的场限环，形成的PN结内建电场更强，能够承担更强反向电场，以此能够实现以更小的终端面积来实现保护器件不发生提前反向击穿的效果。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延层，设置在所述衬底上，所述衬底和所述半导体外延层均具有第一导电类型，所述半导体外延层包括：有源区，围绕所述有源区外的边缘终端区；终端掺杂结构，设置于所述边缘终端区内，且从所述边缘终端区表面向所述衬底的第一方向延伸，所述终端掺杂结构具有第二导电类型，所述终端掺杂结构包括：围绕所述有源区外的主结结构，以及设置于所述主结结构相对的第一侧和第二侧的若干叉状结构；其中，相邻两个所述叉状结构间隔设置，且每个所述叉状结构包括主干部和至少两个第一分叉部，所述主干部的第一端与所述主结结构连接，所述主干部的第二端朝向背离所述有源区的第二方向延伸；所述第一分叉部设置于所述主干部的第二端且朝向所述第二方向延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 半导体器件
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