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申请/专利权人：重庆大学
申请日：2022-04-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN114751655B
主分类号：C03C17/34
分类号：C03C17/34;C03C17/22;C25B1/04;C25B1/55;C25B11/052;C25B11/091
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.14#授权;2022.08.02#实质审查的生效;2022.07.15#公开
摘要：硫化铟基异质结构薄膜电极及其制备方法，该方法包括：提供由乙二醇与水形成的混合溶剂，并将三氯化铟和硫脲分别溶解在所述混合溶剂中形成反应溶液，再将FTO导电玻璃平面基底置于反应溶液中进行溶剂热反应，从而在基底的导电面上形成硫化铟基异质结构薄膜。本发明工艺简单、条件温和、反应时间短、对产物形貌的可控性高，重复性好；产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高；以及所制备的纳米立方体结构硫化铟基异质结构薄膜电极光电性能优异。
主权项：1.一种用于光电化学分解水的硫化铟基异质结构薄膜电极的制备方法，包括：将乙二醇与水形成混合溶剂，其中乙二醇与水的体积比为1：2；将三氯化铟和硫脲分别溶解在所述混合溶剂中形成反应溶液，其中铟离子与硫离子的摩尔比为2：3，并且反应溶液中铟离子的浓度为0.02~0.03M；提供FTO导电玻璃平面基底，基底一面为导电面，另一面为非导电面；将基底倾斜置于反应溶液中，其中基底的导电面朝下，非导电面朝上，并且基底与竖直面形成25~35度夹角；对放置有基底的反应溶液进行密闭溶剂热反应以在基底的导电面上形成硫化铟基异质结构薄膜，其中反应温度为175℃~185℃，反应时间为4~6小时；反应结束后，将其上形成有硫化铟基异质结构薄膜的基底自然冷却至室温；清洁冷却后的基底；对清洁基底在氮气气氛下进行退火处理，其中退火温度为290℃~310℃，退火时间为1.5~2.5小时。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆大学 硫化铟基异质结构薄膜电极及其制备方法
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