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申请/专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
摘要：本发明提供一种图形半导体衬底的平坦化方法，包括：1在衬底上形成牺牲衬垫层；2在衬底中刻蚀出图形凹槽，并沉积绝缘层；3于绝缘层上沉积研磨衬垫层；4于图形凹槽上形成刻蚀阻挡层，刻蚀以去除第二绝缘部的部分厚度；5第一次化学机械研磨，基于研磨衬垫层使得第一绝缘部的去除速率小于第二绝缘部的去除速率，第二绝缘部的顶面高于牺牲衬垫层的顶面；6第二次化学机械研磨，第二绝缘部的去除速率大于牺牲衬垫层的去除速率，以在去除牺牲衬垫层时使第二绝缘部的顶面与衬底的顶面齐平。本发明实现了一种超深、大图形平坦化的工艺方法，可以用于微机电系统工艺及硅基光电子器件工艺，可有效提高后续工艺的窗口，提高器件性能。
主权项：1.一种图形半导体衬底的平坦化方法，其特征在于，所述平坦化方法包括：1提供一衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，在所述衬底的第一面形成牺牲衬垫层；2在所述衬底中刻蚀出图形凹槽，并在所述牺牲衬垫层上和所述图形凹槽中沉积绝缘层以填充所述图形凹槽，所述图形凹槽处的第一绝缘部的顶面低于所述牺牲衬垫层上的第二绝缘部的顶面；3于所述绝缘层上沉积研磨衬垫层；4于所述图形凹槽上方的所述第一绝缘部和其两侧的部分第二绝缘部上形成刻蚀阻挡层，刻蚀以去除刻蚀阻挡层以外的所述第二绝缘部的部分厚度；5进行第一次化学机械研磨以去除所述牺牲衬垫层上的所述第二绝缘部，基于所述研磨衬垫层使得所述第一绝缘部的去除速率小于所述第二绝缘部的去除速率，使得所述牺牲衬垫层上的所述第二绝缘部全部去除时，所述第一绝缘部的顶面高于所述牺牲衬垫层的顶面；6进行第二次化学机械研磨以去除所述牺牲衬垫层和所述第一绝缘部的部分厚度，其中，所述第一绝缘部的去除速率大于所述牺牲衬垫层的去除速率，以在去除所述牺牲衬垫层时使所述第一绝缘部的顶面与所述衬底的顶面齐平。
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权利要求：
百度查询： 上海新微技术研发中心有限公司 图形半导体衬底的平坦化方法
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