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申请/专利权人：新存科技(武汉)有限责任公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118215303A
主分类号：H10B63/10
分类号：H10B63/10;H10N70/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本申请公开了一种相变存储单元、存储芯片以及存储系统。相变存储单元包括第一电极、第二电极、选通层、相变存储层以及瞬态电流抑制层。第二电极与第一电极相对设置。选通层设置于第一电极与第二电极之间。相变存储层设置于选通层与第一电极之间。瞬态电流抑制层设置于相变存储层与选通层之间。瞬态电流抑制层起到抑制浪涌电流的作用，改善浪涌电流对相变存储单元的操作过程造成的操作扰动问题，改善操作扰动导致操作结果准确性不高的问题，提高存储芯片和存储系统的可靠性。
主权项：1.一种相变存储单元，其特征在于，所述相变存储单元包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对设置；选通层，设置于所述第一电极与第二电极之间；相变存储层，设置于所述选通层与所述第一电极之间；以及瞬态电流抑制层，设置于所述相变存储层与所述选通层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 相变存储单元、存储芯片及存储系统
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