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申请/专利权人：江苏晟驰微电子有限公司
申请日：2024-03-23
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231267A
主分类号：H01L21/50
分类号：H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/367
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺，涉及芯片封装技术领域，所述适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺包括以下流程：a：将散热焊盘放置在基板框上，接着将芯片本体放置在散热焊盘的上方；b：随后在芯片本体上对称焊接上多个引线；c：在芯片本体的顶部铺上一层导热硅脂，随后在导热硅脂的顶部中间放置一个导热板，接着在导热板的顶部焊接散热片，然后在导热板的两侧对称焊接上导热柱，使绝缘胶体注满基板框；d：利用加热棒接触绝缘胶体对绝缘胶体进行加热，利用震动装置对基板框进行振荡10～30分钟。本发明通过在芯片本体的顶部和底部同时设置散热结构，进而使得该封装芯片的散热能力得到有效提高，增加了芯片本体的散热能力。
主权项：1.一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺，其特征在于：所述适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺包括以下流程：a：将散热焊盘2放置在基板框1上，然后在散热焊盘2上方注入一层银浆层3，接着将芯片本体4放置在散热焊盘2的上方；b：随后在芯片本体4上对称焊接上多个引线5，并在引线5的一端焊接导电焊盘6，并将导电焊盘6整齐排列在基板框1的顶部；c：在芯片本体4的顶部铺上一层导热硅脂7，随后在导热硅脂7的顶部中间放置一个导热板8，接着在导热板8的顶部焊接散热片9，然后在导热板8的两侧对称焊接上导热柱10，然后将固定架12对称放置在基板框1内部，最后将绝缘胶体11注入基板框1中，使绝缘胶体11注满基板框1；d：利用加热棒接触绝缘胶体11对绝缘胶体11进行加热，保证绝缘胶体11在震动过程中不凝固，利用震动装置对基板框1进行振荡10～30分钟，使基板框1中的绝缘胶体11中的气泡快速的在绝缘胶体11中向上溢出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏晟驰微电子有限公司 一种适用于功率GPP芯片的DFN快速封装工艺
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